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参数目录42143
> PMR400UN,115 MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
型号:
PMR400UN,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PMR400UN,115 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫欧 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.89nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
43pF @ 25V
功率 - 最大
530mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商设备封装
SC-75
包装
带卷 (TR)
其它名称
568-7438-2
934057959115
PMR400UN T/R
PMR400UN T/R-ND
PMR400UN,115-ND
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